Q. ALD 공정 이슈가 궁금합니다.

답변 6

• 황

  황금파이프삼성전자

  코부사장 ∙ 채택률 77% ∙

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  일치

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  안녕하세요. 현재 소자 node에서 ALD가 미세 공정을 해결하기 위한 방법 중의 하나이기는 합니다. 물론 ALD도 종류와 공법이 굉장히 다양하기 때문에 상황에 따라 다르겠지만, ALD로 증착을 하는 경우 다른 박막에 비해서 step coverage와 uniformity가 좋은 편입니다. 다만 알고 있듯이 생산성 문제가 가장 큰 문제이며, 이를 해결하기 위해 설비 구조를 개조하거나 Spatial ALD 등 다양한 형태의 ALD가 등장하고 있습니다.

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• 개

  개미는오늘도뚠뚠삼성전자

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  일치

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  안녕하세요 멘티님 취업한파속 취준으로 고생많습니다. 모든 이슈가 수율즉 낮은생산량과 연결됩니다. 최종적으로 요구되고 관리되는 지표가 수율이기에, .. 두번째 질문에 대한 답변을 드리자면 후자쪽이 가깝습니다.

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• P

  PRO액티브현대트랜시스

  코전무 ∙ 채택률 100%

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  ALD는 높은 정밀도를 가진 공정이지만 아직 해결 과제도 있습니다. 대표적으로 낮은 생산성 외에 전구체(precursor) 제한, 불순물·탄소 잔류, 공정 온도 범위 문제, 플라즈마 손상, 대면적 균일도 확보 등이 있습니다. 특히 3D 구조가 복잡해지면서 초고종횡비(HAR) 구조에서의 step coverage와 wafer-level uniformity 개선 요구가 계속 커지고 있습니다. ALD는 원자층 단위 제어로 정밀성은 뛰어나지만, 차세대 소자에서는 더 높은 균일도·결함 감소·저온 공정 같은 추가적인 개선이 계속 요구되는 상황입니다.

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• 탁

  탁기사삼성전자

  코사장 ∙ 채택률 78% ∙

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  tat가 낮은것도 있지만 전구체대비 가스 소모량이 타 cvd나 pvd보다 많아서 설비적구조에서 더 높은 진공펌프나 파워등이 요구돼서 제조단가도 비싸고 설비도 고스펙으로 요구됩니다. 그리고 공정온도변수도 위아래 스펙이 제한적이라 공정 잡기가 힘듭니다. 또한 ald가 아무리 균일도가 좋다 하더라도 선폭이 계속 줄고있어 당연히 커버리지나 cdu등을 계속해서 바뀔때마다 지속평가를 진행합니다. 당연히 요구가됩니다!!

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• 멘

  멘토 지니KT

  코상무 ∙ 채택률 62%

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  ● 채택 부탁드립니다 ● ALD 공정의 가장 큰 장점은 원자 단위 증착이 가능해 step coverage와 박막 두께 제어가 매우 뛰어나다는 점입니다. 그래서 고종횡비 구조나 게이트 절연막 등 정밀 공정에 많이 사용됩니다. 다만 실제 공정에서는 낮은 생산성 외에도 전구체 반응성 부족, 파티클 발생, 박막 내 불순물 문제, 공정 온도 윈도우 제한 같은 이슈가 있습니다. 또한 소자가 미세화될수록 ALD도 더 높은 uniformity와 defect 관리가 요구됩니다. 특히 웨이퍼 내 두께 균일도, interface 품질, 박막 밀도와 같은 특성이 소자 성능에 직접 영향을 주기 때문에 공정 조건 최적화와 전구체 개발이 계속 중요한 과제로 연구되고 있습니다.

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• 흰

  흰수염치킨삼성전자

  코전무 ∙ 채택률 57% ∙

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  일치

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  안녕하세요. 멘토 흰수염치킨입니다. step coverage랑 uniformity 잡으려고 만든 기술이니 당연히 관리가 필요한데 기술 자체가 그런 문제를 해결한거라 덜 하긴하죠 공정 생산량이 제일 큰 이슈 아닐까요 도움이 되었으면 좋겠네요. ^_^

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